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国家存储器基地项目进展顺利,量产目标有望实现!

时间:2019-08-29

IT House

IT House 8月4号消息?据中国新闻社报道,上海中业国家仓储基地项目(一期)二期工程已成功供电,并已收到终端电源。保证,芯片批量生产目标的完成即将到来。

据悉,国家仓储基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城。未来,将有三家3D NAND Flash FAB工厂拥有世界上最大的单座区域。在国家存储器基础建成后,它将在许多芯片工业的设计,封装,制造和应用中发挥主导作用。

根据之前的曝光,长江仓储此前投资10亿元的国内3D NAND闪存项目已经取得成功。今年的目标是大规模生产64层3D NAND闪存。如果进展顺利,可以跳过三星和美光的96层堆栈闪存技术,直接开发128层堆栈闪存技术,实现转角超车。

IT House 8月4号消息?据中国新闻社报道,上海中业国家仓储基地项目(一期)二期工程已成功供电,并已收到终端电源。保证,芯片批量生产目标的完成即将到来。

据悉,国家仓储基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城。未来,将有三家3D NAND Flash FAB工厂拥有世界上最大的单座区域。在国家存储器基础建成后,它将在许多芯片工业的设计,封装,制造和应用中发挥主导作用。

根据之前的曝光,长江仓储此前投资10亿元的国内3D NAND闪存项目已经取得成功。今年的目标是大规模生产64层3D NAND闪存。如果进展顺利,可以跳过三星和美光的96层堆栈闪存技术,直接开发128层堆栈闪存技术,实现转角超车。

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